工艺适配相关故障 线路桥连 / 短路：超细线路（≤10μm 线宽）间出现镀层粘连，多因光刻胶显影不彻底、电镀时金属离子过度沉积，或镀液整平性差。 盲孔 / 埋孔填充不良：孔内出现空洞、凹陷，影响层间导通和散热。成因是镀液流动性不足、电流密度未针对深宽比优化，或添加剂中整平剂含量不足。 基材损伤：特殊基材（如 PTFE）出现翘曲、开裂，多因电镀温度过高（超过基材耐热极限），或前处理化学药剂腐蚀基材表面。
种子层沉积：构建导电基底 采用物相沉积（PVD）或化学镀，在绝缘基材表面沉积超薄导电层（铜或镍）。 种子层厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆盖均匀、无针孔，为后续图形电镀提供稳定导电通道。 沉积后需做简易附着力检测，避免种子层脱落影响后续工艺。
去胶与蚀刻：剥离多余金属 用化学脱胶剂或等离子体去除表面光刻胶 / 干膜，露出下方未被电镀覆盖的种子层。 采用微蚀工艺，蚀刻掉多余种子层，仅保留电镀形成的功能线路，控制侧蚀量≤0.5μm。 蚀刻后彻底水洗，避免残留药剂腐蚀镀层或基材。
表面处理：提升可靠性与兼容性 非关键区域可做沉银、OSP 或沉锡处理，提升可焊性与抗氧化能力。 关键高频区域需保持金 / 银镀层洁净，可涂覆超薄有机防氧化剂，避免氧化导致信号损耗增大。 处理后需控制表面粗糙度 Ra<0.5μm，减少高频信号散射。